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SOITEC与四联强强联合 一起研制LED氮化镓晶片
来源:http://www.0376rj.com 责任编辑:www.ag88.com 更新日期:2018-09-12 08:32
SOITEC与四联强强联合 一起研制LED氮化镓晶片 电子及动力工业的半导体资料出产和制作商SOITEC与照明职业的资料、设备和体系供货商重庆四联光电科技有限公司就一起运用HVPE技能制作氮化镓(GaN)达成了协议。GaN晶片模板在 LED 的出产中能大大降低本钱。 两边的

  SOITEC与四联强强联合 一起研制LED氮化镓晶片

  电子及动力工业的半导体资料出产和制作商SOITEC与照明职业的资料、设备和体系供货商重庆四联光电科技有限公司就一起运用HVPE技能制作氮化镓(GaN)达成了协议。GaN晶片模板在LED的出产中能大大降低本钱。

  两边的协作开发协议旨在运用四联的蓝宝石衬底和SOITEC共同的HVPE技能来验证GaN晶片模板出产的可行性并进行商业化出产,两边方案本年开端进行GaN晶片模板的样片出产。

  SOITEC表明他们正方案运用验证过的硅外延设备,在参加其开发的镓气体后,开宣布一种高产能的HVPE设备,研宣布一种具有快速成长特色的工艺,以降低本钱。这种新的工艺使得GaN模板比运用MOVPE的方法更具有本钱的优势。

  一起,SOITEC表明HVPE技能的开发引入了一种新的商务形式,它能让LED制作商节省高达60%的MOVPE产能。除此新的商务模型之外,使用Arizona 的菲尼克斯实验室隶属组织所取得的在LED芯片方面的经历,SOITEC也在寻觅与四联展开LED照明范畴方面的协作。
 

  

   LED芯片外延片

 
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