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半导体资料研讨新进展
来源:http://www.0376rj.com 责任编辑:www.ag88.com 更新日期:2018-09-20 08:58
半导体资料研讨新进展 摘要本文要点对半导体硅资料,gaas和inp单晶资料,半导体超晶格、量子阱资料,一维量子线、零维量子点半导体微结构资料,宽带隙半导体资料,光子晶体资料,量子比特构建与资料等现在到达的水平缓器材运用概略及其展开趋势作了概述。终

  半导体资料研讨新进展

  摘要本文要点对半导体硅资料,gaas和inp单晶资料,半导体超晶格、量子阱资料,一维量子线、零维量子点半导体微结构资料,宽带隙半导体资料,光子晶体资料,量子比特构建与资料等现在到达的水平缓器材运用概略及其展开趋势作了概述。终究,提出了展开我国半导体资料的主张。
要害词半导体资料量子线量子点资料光子晶体

  1 半导体资料的战略位置
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的创造及其硅集成电路的研发成功,导致了电子工业革新;上世纪70年代初石英光导纤维资料和gaas激光器的创造,促进了光纤通讯技能迅速展开并逐渐构成了高新技能产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱资料的研发成功,彻底改动了光电器材的规划思维,使半导体器材的规划与制作从“杂质工程”展开到“能带工程”。纳米科学技能的展开和运用,将使人类能从原子、分子或纳米标准水平上操控、操作和制作功用强大的新式器材与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格式和军事对立的方式,彻底改动人们的生活方式。
2 几种首要半导体资料的展开现状与趋势
2.1 硅资料
从前进硅集成电路成品率,下降成本看,增大直拉硅(cz-si)单晶的直径和减小微缺点的密度仍是往后cz-si展开的总趋势。现在直径为8英寸(200mm)的si单晶已完结大规划工业出产,根据直径为12英寸(300mm)硅片的集成电路(ic’s)技能正处在由试验室向工业出产改动中。现在300mm,0.18μm工艺的硅ulsi出产线现已投入出产,300mm,0.13μm工艺出产线也将在2003年完结点评。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在试验室研发成功,直径27英寸硅单晶研发也正在活跃谋划中。
从进一步前进硅ic’s的速度和集成度看,研发合适于硅深亚微米甚至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅资料展开的干流。别的,soi资料,包含智能剥离(smart cut)和simox资料等也展开很快。现在,直径8英寸的硅外延片和soi资料已研发成功,更大标准的片材也在开发中。
理论剖析指出30nm左右将是硅mos集成电路线宽的“极限”标准。这不仅是指量子标准效应对现有器材特性影响所带来的物理约束和光刻技能的约束问题,更重要的是将受硅、sio2本身性质的约束。尽管人们正在活跃寻觅高k介电绝缘资料(如用si3n4等来替代sio2),低k介电互连资料,用cu替代al引线以及选用系统集成芯片技能等来前进ulsi的集成度、运算速度和功用,但硅将终究难以满意人类不断的对更大信息量需求。为此,人们除寻求根据全新原理的量子核算和dna生物核算等之外,还把目光放在以gaas、inp为基的化合物半导体资料,特别是二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点资料和可与硅平面工艺兼容gesi合金资料等,这也是现在半导体资料研发的要点。
2.2 gaas和inp单晶资料
gaas和inp与硅不同,它们都是直接带隙资料,具有电子饱满漂移速度高,耐高温,抗辐照等特色;在超高速、超高频、低功耗、低噪音器材和电路,特别在光电子器材和光电集成方面占有共同的优势。
现在,世界gaas单晶的总年产量已逾越200吨,其间以低位错密度的笔直梯度凝结法(vgf)和水平(hb)办法成长的2-3英寸的导电gaas衬底资料为主;近年来,为满意高速移动通讯的火急需求,大直径(4,6和8英寸)的si-gaas展开很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的si-gaas集成电路出产线。inp具有比gaas更优越的高频功用,展开的速度更快,但研发直径3英寸以上大直径的inp单晶的要害技能没有彻底打破,价格居高不下。
gaas和inp单晶的展开趋势是:(1).增大晶体直径,现在4英寸的si-gaas已用于出产,估计本世纪初的头几年直径为6英寸的si-gaas也将投入工业运用。(2).前进资料的电学和光学微区均匀性。(3).下降单晶的缺点密度,特别是位错。(4).gaas和inp单晶的vgf成长技能展开很快,很有可能成为干流技能。
2.3 半导体超晶格、量子阱资料
半导体超薄层微结构资料是根据先进成长技能(mbe,mocvd)的新一代人工结构资料。它以全新的概念改动着光电子和微电子器材的规划思维,呈现了“电学和光学特性可取舍”为特征的新范畴,是新一代固态量子器材的根底资料。
(1)ⅲ-v 族超晶格、量子阱资料。gaaias/gaas,gainas/gaas,aigainp/gaas;galnas/inp,alinas/inp,ingaasp/inp等gaas、inp基晶格匹配和应变补偿资料系统已展开得适当老练,已成功地用来制作超高速,超高频微电子器材和单片集成电路。高电子迁移率晶体管(hemt),赝配高电子迁移率晶体管(p-hemt)器材最好水平已达fmax=600ghz,输出功率58mw,功率增益6.4db;双异质结双极晶体管(hbt)的最高频率fmax也已高达500ghz,hemt逻辑电路研发也展开很快。根据上述资料系统的光通讯用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器,红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已产品化;表面光发射器材和光双稳器材等也已到达或挨近到达实用化水平。现在,研发高质量的1.5μm散布反应(dfb)激光器和电吸收(ea)调制器单片集成inp基多量子阱资料和超高速驱动电路所需的低维结构资料是处理光纤通讯瓶颈问题的要害,在试验室西门子公司已完结了80×40gbps传输40km的试验。别的,用于制作准接连兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱资料也遭到人们的注重。
尽管惯例量子阱结构端面发射激光器是现在光电子范畴占操控位置的有源器材,但由于其有源区极薄(~0.01μm)端面光电灾变损害,大电流电热焚毁和光束质量差一直是此类激光器的功用改进和功率前进的难题。选用多有源区量子级联耦合是处理此难题的有效途径之一。我国早在1999年,就研发成功980nm ingaas带间量子级联激光器,输出功率达5w以上;2000年头,法国汤姆逊公司又报导了单个激光器准接连输出功率逾越10瓦好结果。最近,我国的科研作业者又提出并展开了多有源区纵向光耦合笔直腔面发射激光器研讨,这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新式激光器,在未来光通讯、光互联与光电信息处理方面有着杰出的运用远景。
为战胜pn结半导体激光器的能隙对激光器波长规划的约束,1994年美国贝尔试验室创造了根据量子阱内人带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器,打破了半导体能隙对波长的约束。自从1994年ingaas/inaias/inp量子级联激光器(qcls)创造以来,bell试验室等的科学家,在曩昔的7年多的时间里,qcls在向大功率、高温文单膜作业等研讨方面获得了明显的展开。2001年瑞士neuchatel大学的科学家选用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的qcls的作业温度高达312k,接连输出功率3mw。量子级联激光器的作业波长已掩盖近红外到远红外波段(3-87μm),并在光通讯、超高分辩光谱、超高活络气体传感器、高速调制器和无线光学衔接等方面显现出重要的运用远景。中科院上海微系统和信息技能研讨所于1999年研发成功120k 5μm和250k 8μm的量子级联激光器;中科院半导体研讨所于2000年又研发成功3.7μm室温准接连应变补偿量子级联激光器,使我国成为能研发这类高质量激光器资料为数不多的几个国家之一。
现在,ⅲ-v族超晶格、量子阱资料作为超薄层微结构资料展开的干流方向,正从直径3英寸向4英寸过渡;出产型的mbe和m0cvd设备已研发成功并投入运用,每台年出产才干可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的mocvd中心,法国的picogiga mbe基地,美国的qed公司,motorola公司,日本的富士通,ntt,索尼等都有这种外延资料出售。出产型mbe和mocvd设备的老练与运用,必定促进衬底资料设备和资料点评技能的展开。
(2)硅基应变异质结构资料。硅基光、电器材集成一直是人们所寻求的方针。但由于硅是直接带隙,怎么前进硅基资料发光功率就成为一个亟待处理的问题。虽经多年研讨,但展开缓慢。人们现在正致力于探究硅基纳米资料(纳米si/sio2),硅基sigec系统的si1-ycy/si1-xgex低维结构,ge/si量子点和量子点超晶格资料,si/sic量子点资料,gan/bp/si以及gan/si资料。最近,在gan/si上成功地研发出led发光器材和有关纳米硅的受激扩大现象的报导,使人们看到了一线期望。
另一方面,gesi/si应变层超晶格资料,因其在新一代移动通讯上的重要运用远景,而成为现在硅基资料研讨的干流。si/gesi modfet和mosfet的最高截止频率已达200ghz,hbt最高振动频率为160ghz,噪音在10ghz下为0.9db,其功用可与gaas器材相媲美。
尽管gaas/si和inp/si是完结光电子集成抱负的资料系统,但由于晶格失配和热膨胀系数等不同构成的高密度失配位错而导致器材功用退化和失效,防碍着它的运用化。最近,motolora等公司声称,他们在12英寸的硅衬底上,用钛酸锶作协变层(柔性层),成功的成长了器材级的gaas外延薄膜,获得了打破性的展开。
2.4 一维量子线、零维量子点半导体微结构资料
根据量子标准效应、量子干与效应,量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体资料是一种人工结构(经过能带工程施行)的新式半导体资料,是新一代微电子、光电子器材和电路的根底。它的展开与运用,极有可能触发新的技能革新。
现在低维半导体资料成长与制备首要会集在几个比较老练的资料系统上,如gaalas/gaas,in(ga)as/gaas,ingaas/inalas/gaas,ingaas/inp,in(ga)as/inalas/inp,ingaasp/inalas/inp以及gesi/si等,并在纳米微电子和光电子研发方面获得了重大展开。俄罗斯约飞技能物理所mbe小组,柏林的俄德联合研发小组和中科院半导体所半导体资料科学要点试验室的mbe小组等研发成功的in(ga)as/gaas高功率量子点激光器,作业波长lμm左右,单管室温接连输出功率高达3.6~4w。特别应当指出的是我国上述的mbe小组,2001年经过在高功率量子点激光器的有源区资料结构中引入应力缓解层,按捺了缺点和位错的发生,前进了量子点激光器的作业寿数,室温下接连输出功率为1w时作业寿数逾越5000小时,这是大功率激光器的一个要害参数,至今未见国外报导。
在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研发方面也获得了重大展开,1994年日本ntt就研发成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管,并在150k观察到栅控源-漏电流振动;1997年美国又报导了可在室温作业的单电子开关器材,1998年yauo等人选用0.25微米工艺技能完结了128mb的单电子存贮器原型样机的制作,这是在单电子器材在高密度存贮电路的运用方面迈出的要害一步。现在,根据量子点的自适应网络核算机,单光子源和运用于量子核算的量子比特的构建等方面的研讨也正在进行中。
与半导体超晶格和量子点结构的成长制备比较,高度有序的半导体量子线的制备技能难度较大。中科院半导体所半导体资料科学要点试验室的mbe小组,在继运用mbe技能和sk成长形式,成功地制备了高空间有序的inas/inai(ga)as/inp的量子线和量子线超晶格结构的根底上,对inas/inalas量子线超晶格的空间自对准(笔直或斜对准)的物理原因和成长操控进行了研讨,获得了较大展开。
王中林教授领导的乔治亚理工大学的资料科学与工程系和化学与生物化学系的研讨小组,根据无催化剂、操控成长条件的氧化物粉末的热蒸腾技能,成功地合成了比如zno、sno2、in2o3和ga2o3等一系列半导体氧化物纳米带,它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同,这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体,简直无缺点和位错;纳米线呈矩形截面,典型的宽度为20-300nm,宽厚比为5-10,长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个抱负的资料系统,能够用来研讨载流子维度受限的输运现象和根据它的功用器材制作。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的lars samuelson教授领导的小组,别离在sio2/si和inas/inp半导体量子线超晶格结构的成长制各方面也获得了重要展开。
低维半导体结构制备的办法许多,首要有:微结构资料成长和精密加工工艺相结合的办法,应变自拼装量子线、量子点资料成长技能,图形化衬底和不同取向晶面挑选成长技能,单原子操作和加工技能,纳米结构的辐照制备技能,及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等经过物理或化学办法制备量子点和量子线的技能等。现在展开的首要趋势是寻觅原子级无损害加工办法和纳米结构的应变自拼装可控成长技能,以求获得巨细、形状均匀、密度可控的无缺点纳米结构。
2.5 宽带隙半导体资料
宽带隙半导体材首要指的是金刚石,iii族氮化物,碳化硅,立方氮化硼以及氧化物(zno等)及固溶体等,特别是sic、gan和金刚石薄膜等资料,因具有高热导率、高电子饱满漂移速度和大临界击穿电压等特色,成为研发高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器材和电路的抱负资料;在通讯、轿车、航空、航天、石油挖掘以及国防等方面有着广泛的运用远景。别的,iii族氮化物也是很好的光电子资料,在蓝、绿光发光二极管(led)和紫、蓝、绿光激光器(ld)以及紫外探测器等运用方面也显现了广泛的运用远景。跟着1993年gan资料的p型掺杂打破,gan基资料成为蓝绿光发光资料的研讨热门。现在,gan基蓝绿光发光二极管己产品化,gan基ld也有产品出售,最大输出功率为0.5w。在微电子器材研发方面,gan基fet的最高作业频率(fmax)已达140ghz,ft=67 ghz,跨导为260ms/mm;hemt器材也相继问世,展开很快。此外,256×256 gan基紫外光电焦平面阵列探测器也已研发成功。特别值得提出的是,日本sumitomo电子工业有限公司2000年声称,他们选用热力学办法已研发成功2英寸gan单晶资料,这将有力的推进蓝光激光器和gan基电子器材的展开。别的,近年来具有失常带隙曲折的窄禁带inasn,ingaasn,ganp和ganasp资料的研发也遭到了注重,这是由于它们在长波长光通讯用高t0光源和太阳能电池等方面显现了重要运用远景。
以cree公司为代表的体sic单晶的研发已获得打破性展开,2英寸的4h和6h sic单晶与外延片,以及3英寸的4h sic单晶己有产品出售;以sic为gan基资料衬低的蓝绿光led业已上市,并参于与以蓝宝石为衬低的gan基发光器材的竟争。其他sic相关高温器材的研发也获得了长足的前进。现在存在的首要问题是资猜中的缺点密度高,且价格昂贵。
ii-vi族兰绿光资料研发在徜徉了近30年后,于1990年美国3m公司成功地处理了ii-vi族的p型掺杂难点而得到迅速展开。1991年3m公司运用mbe技能首要宣告了电注入(zn,cd)se/znse兰光激光器在77k(495nm)脉冲输出功率100mw的音讯,开端了ii-vi族兰绿光半导体激光(资料)器材研发的高潮。经过多年的尽力,现在znse基ii-vi族兰绿光激光器的寿数虽已逾越1000小时,但离运用距离尚大,加之gan基资料的迅速展开和运用,使ii-vi族兰绿光资料研发脚步有所变缓。前进有源区资料的完整性,特别是要下降由非化学配比导致的点缺点密度和进一步下降失配位错和处理欧姆触摸等问题,仍是该资料系统走向实用化前必需求处理的问题。
宽带隙半导体异质结构资料往往也是典型的大失配异质结构资料,所谓大失配异质结构资料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的资料系统,如gan/蓝宝石(sapphire),sic/si和gan/si等。大晶格失配引发界面处许多位错和缺点的发生,极大地影响着微结构资料的光电功用及其器材运用。怎么防止和消除这一负面影响,是现在资料制备中的一个火急要处理的要害科学问题。这个问题的解泱,必将大大地拓展资料的可挑选地步,拓荒新的运用范畴。
现在,除sic单晶衬低资料,gan基蓝光led资料和器材已有产品出售外,大多数高温半导体资料仍处在试验室研发阶段,不少影响这类资料展开的要害问题,如gan衬底,zno单晶簿膜制备,p型掺杂和欧姆电极触摸,单晶金刚石薄膜成长与n型掺杂,ii-vi族资料的退化机理等仍是约束这些资料实用化的要害问题,国内外虽已做了许多的研讨,至今没有获得重大打破。

  3 光子晶体
光子晶体是一种人工微结构资料,介电常数周期的被调制在与作业波长比较拟的标准,来自结构单元的散射波的多重干与构成一个光子带隙,与半导体资料的电子能隙类似,并可用类似于固态晶体中的能带论来描绘三维周期介电结构中光波的传达,相应光子晶体光带隙(禁带)能量的光波形式在其间的传达是被制止的。假如光子晶体的周期性被损坏,那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模,光子态密度随光子晶体维度下降而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有期望制成十分高q值的单模微腔,从而为研发高质量微腔激光器拓荒新的途径。光子晶体的制备办法首要有:聚集离子束(fib)结合脉冲激光蒸腾办法,即先用脉冲激光蒸腾制备如ag/mno多层膜,再用fib注入阻隔构成一维或二维平面阵列光子晶体;根据功用粒子(磁性纳米颗粒fe2o3,发光纳米颗粒cds和介电纳米颗粒tio2)和共轭高分子的自拼装办法,可构成适用于可见光规划的三维纳米颗粒光子晶体;二维多空硅也可制作成一个抱负的3-5μm和1.5μm光子带隙资料等。现在,二维光子晶体制作已获得很大展开,但三维光子晶体的研讨,仍是一个具有应战性的课题。最近,campbell等人提出了全息光栅光刻的办法来制作三维光子晶体,获得了展开。

  4 量子比特构建与资料
跟着微电子技能的展开,核算机芯片集成度不断增高,器材标准越来越小(nm标准)并终究将遭到器材作业原理和工艺技能约束,而无法满意人类对更大信息量的需求。为此,展开根据全新原理和结构的功用强大的核算机是21世纪人类面对的巨大应战之一。1994年shor根据量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可垂手可得地破译现在广泛运用的公开密钥rivest,shamir和adlman(rsa)系统,引起了人们的广泛注重。
所谓量子核算机是运用量子力学原理进行核算的设备,理论上讲它比传统核算机有更快的运算速度,更大信息传递量和更高信息安全保证,有可能逾越现在核算机抱负极限。完结量子比特结构和量子核算机的想象计划许多,其间最有目共睹的是kane最近提出的一个完结大规划量子核算的计划。其中心是运用硅纳米电子器材中磷施主核自旋进行信息编码,经过外加电场操控核自旋间相互作用完结其逻辑运算,自旋丈量是由自旋极化电子电流来完结,核算机要作业在mk的低温下。
这种量子核算机的终究完结依靠于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技能的展开。除此之外,为了防止杂质对磷核自旋的搅扰,必需运用高纯(无杂质)和不存在核自旋不等于零的硅同位素(29si)的硅单晶;减小sio2绝缘层的无序涨落以及怎么在硅里掺入规矩的磷原子阵列等是完结量子核算的要害。量子态在传输,处理和存储过程中可能因环境的耦合(搅扰),而从量子叠加态演化成经典的混合态,即所谓失掉相干,特别是在大规划核算中能否始终保持量子态间的相干是量子核算机走向实用化前所必需战胜的难题。

  5 展开我国半导体资料的几点主张
鉴于我国现在的工业根底,国力和半导体资料的展开水平,提出以下展开主张供参阅。
5.1 硅单晶和外延资料
硅资料作为微电子技能的主导位置至少到本世纪中叶都不会改动,至今国内各大集成电路制作厂家所需的硅片基本上是依靠进口。现在国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量出产6英寸的硅外延片,但是都未构成安稳的批量出产才干,更谈不上规划出产。主张国家会集人力和财力,首要展开8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研讨开发,在“十五”的后期,争夺做到8英寸集成电路出产线用硅单晶资料的国产化,并有6~8英寸硅片的批量供片才干。到2010年左右,我国应有8~12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规划出产才干;更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研发。别的,硅多晶资料出产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需一起处以注重,只要这样,才干逐渐改观我国微电子技能的落后局势,进入世界发达国家之林。
5.2 gaas及其有关化合物半导体单晶资料展开主张
gaas、inp等单晶资料同国外的距离首要体现在拉晶和晶片加工设备落后,没有构成出产才干。信任在国家各部委的统一组织、领导下,并争夺企业介入,树立我国自己的研讨、开发和出产联合体,取各家之长,分工协作,到2010年赶上世界先进水平是可能的。要到达上述意图,到“十五”末应构成以4英寸单晶为主2-3吨/年的si-gaas和3-5吨/年掺杂gaas、inp单晶和开盒就用晶片的出产才干,以满意我国不断展开的微电子和光电子工业的需术。到2010年,应当完结4英寸gaas出产线的国产化,并具有满意6英寸线的供片才干。
5.3 展开超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构资料的主张
(1)超晶格、量子阱资料
从现在我国国力和咱们已有的根底动身,应以三基色(超高亮度红、绿和蓝光)资料和光通讯资料为主攻方向,并统筹新一代微电子器材和电路的需求,加强mbe和mocvd两个基地的建造,引入必要的合适批量出产的工业型mbe和mocvd设备并侧重致力于gaalas/gaas,ingaalp/ingap,gan基蓝绿光资料,ingaas/inp和ingaasp/inp等资料系统的实用化研讨是燃眉之急,争夺在“十五”末,能满意国内2、3和4英寸gaas出产线所需求的异质结资料。到2010年,每年能具有至少100万平方英寸mbe和mocvd微电子和光电子微结构资料的出产才干。到达本世纪初的世界水平。
宽带隙高温半导体资料如sic,gan基微电子资料和单晶金刚石薄膜以及zno等资料也应择优布点,别离做好研讨与开发作业。
(2)一维和零维半导体资料的展开想象。根据低维半导体微结构资料的固态纳米量子器材,现在尽管仍处在预研阶段,但极其重要,极有可能触发微电子、光电子技能新的革新。低维量子器材的制作依靠于低维结构资料成长和纳米加工技能的前进,而纳米结构资料的质量又很大程度上取决于成长和制备技能的水平。因此,会集人力、物力建造我国自己的纳米科学与技能研讨展开中心就成为了胜败的要害。详细方针是,“十五”末,在半导体量子线、量子点资料制备,量子器材研发和系统集成等若干个重要研讨方向挨近其时的世界先进水平;2010年在有实用化远景的量子点激光器,量子共振隧穿器材和单电子器材及其集成等研发方面,到达世界先进水平,并在世界该范畴占有一席之地。能够意料,它的施行必将极大地增强我国的经济和国防实力。

   本文限于篇幅,只评论了几种最重要的半导体资料,ii-vi族宽禁带与ii-vi族窄禁带红外半导体资料,高效太阳电池资料cu(in,ga)se2,cuin(se,s)等以及展开迅速的有机半导体资料等没有触及。

  作者简介王占国,1938年生,半导体资料物理学家,中科学院院士。现任中科院半导体所研讨员、半导体资料科学要点试验室学委会主任和多个世界会议参谋委员会委员。首要从事半导体资料和资料物理研讨,在半导体深能级物理和光谱物理研讨,半导体低维结构成长、性质和量子器材研发等方面,获得多项效果。先后获国家自然科学二等奖、国家科技前进三等奖,中科院自然科学一等奖和科技前进一、二和三等奖及何梁何利科技前进奖等多项,在国内外学术刊物和世界会议宣布论文180多篇,被引证数百次。

  

   半导体资料水平展开趋势

 
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